ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਚਿੱਪ
ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਚਿੱਪ
RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਮਿਤ thyristor ਚਿੱਪ ਅਸਲ ਵਿੱਚ GE ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਸਟੈਂਡਰਡ ਅਤੇ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੁਆਰਾ ਪੇਸ਼ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ ਜੋ USA ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਸਟੈਂਡਰਡ ਦੇ ਅਨੁਕੂਲ ਹੈ ਅਤੇ ਵਿਸ਼ਵਵਿਆਪੀ ਗਾਹਕਾਂ ਦੁਆਰਾ ਯੋਗ ਹੈ।ਇਹ ਮਜ਼ਬੂਤ ਥਰਮਲ ਥਕਾਵਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਲੰਬੀ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ, ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ, ਵੱਡਾ ਕਰੰਟ, ਮਜ਼ਬੂਤ ਵਾਤਾਵਰਣ ਅਨੁਕੂਲਤਾ, ਆਦਿ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਹੈ। 2010 ਵਿੱਚ, RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਨੇ thyristor ਚਿੱਪ ਦਾ ਨਵਾਂ ਪੈਟਰਨ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤਾ ਜਿਸ ਨੇ GE ਅਤੇ ਯੂਰਪੀਅਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਰਵਾਇਤੀ ਫਾਇਦੇ ਨੂੰ ਜੋੜਿਆ, ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਅਤੇ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ.
ਪੈਰਾਮੀਟਰ:
| ਵਿਆਸ mm | ਮੋਟਾਈ mm | ਵੋਲਟੇਜ V | ਗੇਟ ਦੀਆ। mm | ਕੈਥੋਡ ਇਨਰ ਡਿਆ। mm | ਕੈਥੋਡ ਆਉਟ ਦੀਆ। mm | ਟੀ.ਜੇ.ਐਮ ℃ |
| 25.4 | 1.5±0.1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1.6-1.8 | 2200-3500 ਹੈ | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29.72 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 ਹੈ | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 ਹੈ | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2.3±0.1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
| 50.8 | 2.5±0.1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43.3 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.9 | 2200-4200 ਹੈ | 3.8 | 8.6 | 41.5 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.8 | 2600-3500 ਹੈ | 3.3 | 7 | 41.5 | 125 |
| 55 | 2.5±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47.3 | 125 |
| 55 | 2.5-2.9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45.7 | 125 |
| 60 | 2.6-3.0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49.8 | 125 |
| 63.5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53.4 | 125 |
| 70 | 3.0-3.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59.9 | 125 |
| 76 | 3.5-4.1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77.7 | 125 |
| 99 | 4.5-4.8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87.7 | 125 |
ਤਕਨੀਕੀ ਨਿਰਧਾਰਨ:
RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਪੜਾਅ ਨਿਯੰਤਰਿਤ thyristor ਅਤੇ ਤੇਜ਼ ਸਵਿੱਚ thyristor ਦੇ ਪਾਵਰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਚਿਪਸ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।
1. ਘੱਟ ਆਨ-ਸਟੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਡਰਾਪ
2. ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਪਰਤ ਦੀ ਮੋਟਾਈ 10 ਮਾਈਕਰੋਨ ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੈ
3. ਡਬਲ ਲੇਅਰ ਪ੍ਰੋਟੈਕਸ਼ਨ ਮੇਸਾ
ਸੁਝਾਅ:
1. ਬਿਹਤਰ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਬਰਕਰਾਰ ਰੱਖਣ ਲਈ, ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਦੇ ਟੁਕੜਿਆਂ ਦੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਤੇ ਨਮੀ ਕਾਰਨ ਵੋਲਟੇਜ ਤਬਦੀਲੀ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ ਚਿਪ ਨੂੰ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਜਾਂ ਵੈਕਿਊਮ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਸਟੋਰ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।
2. ਚਿੱਪ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ ਨੂੰ ਹਮੇਸ਼ਾ ਸਾਫ਼ ਰੱਖੋ, ਕਿਰਪਾ ਕਰਕੇ ਦਸਤਾਨੇ ਪਾਓ ਅਤੇ ਨੰਗੇ ਹੱਥਾਂ ਨਾਲ ਚਿੱਪ ਨੂੰ ਨਾ ਛੂਹੋ
3. ਵਰਤੋਂ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਧਿਆਨ ਨਾਲ ਕੰਮ ਕਰੋ।ਗੇਟ ਅਤੇ ਕੈਥੋਡ ਦੇ ਖੰਭੇ ਦੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਚਿਪ ਦੀ ਰਾਲ ਦੇ ਕਿਨਾਰੇ ਦੀ ਸਤਹ ਅਤੇ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਦੀ ਪਰਤ ਨੂੰ ਨੁਕਸਾਨ ਨਾ ਪਹੁੰਚਾਓ
4. ਟੈਸਟ ਜਾਂ ਇਨਕੈਪਸੂਲੇਸ਼ਨ ਵਿੱਚ, ਕਿਰਪਾ ਕਰਕੇ ਧਿਆਨ ਦਿਓ ਕਿ ਫਿਕਸਚਰ ਦੀ ਸਮਾਨਤਾ, ਸਮਤਲਤਾ ਅਤੇ ਕਲੈਂਪ ਬਲ ਨਿਰਧਾਰਤ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।ਮਾੜੀ ਸਮਾਨਤਾ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਅਸਮਾਨ ਦਬਾਅ ਅਤੇ ਬਲ ਦੁਆਰਾ ਚਿੱਪ ਨੂੰ ਨੁਕਸਾਨ ਹੋਵੇਗਾ।ਜੇਕਰ ਵਾਧੂ ਕਲੈਂਪ ਬਲ ਲਗਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਚਿੱਪ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਖਰਾਬ ਹੋ ਜਾਵੇਗੀ।ਜੇਕਰ ਲਗਾਇਆ ਗਿਆ ਕਲੈਂਪ ਫੋਰਸ ਬਹੁਤ ਛੋਟਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਮਾੜਾ ਸੰਪਰਕ ਅਤੇ ਗਰਮੀ ਦੀ ਖਰਾਬੀ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਤ ਕਰੇਗੀ।
5. ਚਿੱਪ ਦੀ ਕੈਥੋਡ ਸਤਹ ਦੇ ਸੰਪਰਕ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ ਨੂੰ ਐਨੀਲਡ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ
ਕਲੈਂਪ ਫੋਰਸ ਦੀ ਸਿਫ਼ਾਰਿਸ਼ ਕਰੋ
| ਚਿਪਸ ਦਾ ਆਕਾਰ | ਕਲੈਂਪ ਫੋਰਸ ਦੀ ਸਿਫ਼ਾਰਿਸ਼ |
| (KN) ±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 ਜਾਂ Φ30.48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 ਜਾਂ Φ40 | 15 |
| Φ50.8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63.5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |