ਤੇਜ਼ ਸਵਿੱਚ ਥਾਈਰੀਸਟਰ

ਵਰਣਨ:

ਫਾਸਟ ਸਵਿੱਚ thyristor, ਉਸੇ ਬਣਤਰ ਅਤੇ ਪੜਾਅ ਨਿਯੰਤਰਣ thyristor ਦੇ ਪ੍ਰਤੀਕ ਦੇ ਨਾਲ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਬਿਹਤਰ ਸਥਿਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਖਾਸ ਕਰਕੇ ਗਤੀਸ਼ੀਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਸੁਧਾਰ, ਕੱਟਣ, ਇਨਵਰਟਰ ਅਤੇ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਸਰਕਟ ਦੀ ਉੱਚ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਦੁਆਰਾ ਲੋੜੀਂਦਾ ਹੈ.ਤੇਜ਼ ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਦੇ ਗਤੀਸ਼ੀਲ ਮਾਪਦੰਡ ਹਨ ਤੇਜ਼ ਟਰਨ-ਆਨ ਸਪੀਡ ਅਤੇ ਟਰਨ-ਆਨ ਐਕਸਪੈਂਸ਼ਨ ਸਪੀਡ, ਘੱਟ ਰਿਵਰਸ ਰਿਕਵਰੀ ਚਾਰਜ, ਅਤੇ ਛੋਟਾ ਟਰਨ-ਆਫ ਸਮਾਂ, ਆਨ-ਸਟੇਟ ਕਰੰਟ (di/dt) ਦੀ ਉੱਚ ਗੰਭੀਰ ਵਾਧਾ ਦਰ ਅਤੇ ਨਾਜ਼ੁਕ ਦਰ। ਆਫ-ਸਟੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਦਾ ਵਾਧਾ (dv/dt)।ਦਰਜਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਦੇ ਅੰਦਰ ਤੇਜ਼ ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਦਾ ਦਰਜਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰੰਟ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਵਧਣ 'ਤੇ ਘੱਟ ਜਾਂ ਘੱਟ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ।

RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੀ ਫਾਸਟ ਸਵਿੱਚ thyristor ਮੈਨੂਫੈਕਚਰਿੰਗ ਸਟੈਂਡਰਡ ਅਤੇ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀ 1980 ਦੇ ਦਹਾਕੇ ਤੋਂ ਯੂ.ਐੱਸ.ਏ. ਤੋਂ ਪੇਸ਼ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ, ਚੀਨ ਵਿੱਚ thyristor ਨਿਰਮਾਣ ਦੇ ਮੋਢੀ ਵਜੋਂ, RUNAU ਦੀ ਤਕਨੀਕੀ ਟੀਮ ਨੇ 30 ਸਾਲਾਂ ਤੋਂ ਵੱਧ ਸਮੇਂ ਲਈ ਅਤਿ-ਆਧੁਨਿਕ ਗਿਆਨ ਅਤੇ ਕਾਫ਼ੀ ਨਿਰਮਾਣ ਅਨੁਭਵ ਹਾਸਲ ਕੀਤਾ ਸੀ।ਰਵਾਇਤੀ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੇ ਅਧਾਰ 'ਤੇ, RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੇ ਪ੍ਰਤਿਭਾਵਾਨ ਟੈਕਨੀਸ਼ੀਅਨਾਂ ਨੇ ਯੂਰਪੀਅਨ ਉਤਪਾਦਾਂ ਦੀਆਂ ਲਾਭਦਾਇਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ thyristor ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਵਿੱਚ ਕਲਾ-ਆਫ-ਸਟੇਟ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤੀ ਸੀ, ਗੁਣਵੱਤਾ ਅਤੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਸੁਧਾਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਪਾਵਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀਆਂ ਹੋਰ ਵੱਡੀਆਂ ਜਿੱਤਾਂ, ਅਤੇ ਭਾਈਵਾਲਾਂ ਲਈ ਹੋਰ ਮੁੱਲ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ।

ਜਾਣ-ਪਛਾਣ:

1. ਚਿੱਪ

RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਮਿਤ thyristor ਚਿੱਪ sintered alloying Technology ਹੈ।ਸਿਲੀਕਾਨ ਅਤੇ ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਵੇਫਰ ਨੂੰ ਉੱਚ ਵੈਕਿਊਮ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਦੇ ਅਧੀਨ ਸ਼ੁੱਧ ਅਲਮੀਨੀਅਮ (99.999%) ਦੁਆਰਾ ਮਿਸ਼ਰਤ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਸਿੰਟਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਮੁੱਖ ਕਾਰਕ ਹੈ.ਐਲੋਏ ਜੰਕਸ਼ਨ ਦੀ ਡੂੰਘਾਈ, ਸਤਹ ਦੀ ਸਮਤਲਤਾ, ਅਲੌਏ ਕੈਵਿਟੀ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਪੂਰੀ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਹੁਨਰ, ਰਿੰਗ ਸਰਕਲ ਪੈਟਰਨ, ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗੇਟ ਬਣਤਰ ਦਾ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਕਰਨ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੀ ਜਾਣਕਾਰੀ।ਡਿਵਾਈਸ ਦੇ ਕੈਰੀਅਰ ਦੀ ਉਮਰ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਨੂੰ ਵੀ ਲਗਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ, ਤਾਂ ਜੋ ਅੰਦਰੂਨੀ ਕੈਰੀਅਰ ਪੁਨਰ-ਸੰਯੋਜਨ ਦੀ ਗਤੀ ਬਹੁਤ ਤੇਜ਼ ਹੋ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਡਿਵਾਈਸ ਦਾ ਰਿਵਰਸ ਰਿਕਵਰੀ ਚਾਰਜ ਘਟਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਪੀਡ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।ਅਜਿਹੇ ਮਾਪ ਫਾਸਟ ਸਵਿਚਿੰਗ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਆਨ-ਸਟੇਟ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਅਤੇ ਮੌਜੂਦਾ ਸੰਪਤੀ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ ਲਾਗੂ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ।thyristor ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਅਤੇ ਸੰਚਾਲਨ ਕਾਰਵਾਈ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਅਤੇ ਕੁਸ਼ਲ ਹੈ.

2. ਐਨਕੈਪਸੂਲੇਸ਼ਨ

ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਵੇਫਰ ਅਤੇ ਬਾਹਰੀ ਪੈਕੇਜ ਦੀ ਸਮਤਲਤਾ ਅਤੇ ਸਮਾਨਤਾ ਦੇ ਸਖਤ ਨਿਯੰਤਰਣ ਦੁਆਰਾ, ਚਿੱਪ ਅਤੇ ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਵੇਫਰ ਨੂੰ ਬਾਹਰੀ ਪੈਕੇਜ ਨਾਲ ਕੱਸ ਕੇ ਅਤੇ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਨਾਲ ਜੋੜਿਆ ਜਾਵੇਗਾ।ਇਹ ਵਾਧਾ ਕਰੰਟ ਅਤੇ ਉੱਚ ਸ਼ਾਰਟ ਸਰਕਟ ਕਰੰਟ ਦੇ ਵਿਰੋਧ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕਰੇਗਾ।ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਮਾਪ ਨੂੰ ਸਿਲਿਕਨ ਵੇਫਰ ਸਤਹ 'ਤੇ ਇੱਕ ਮੋਟੀ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਫਿਲਮ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਲਗਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ, ਅਤੇ ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਸਤਹ 'ਤੇ ਪਲੇਟ ਕੀਤੀ ਗਈ ਰੂਥੇਨਿਅਮ ਪਰਤ ਥਰਮਲ ਥਕਾਵਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਵਧਾਏਗੀ, ਤੇਜ਼ ਸਵਿੱਚ ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਦਾ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦਾ ਸਮਾਂ ਬਹੁਤ ਵਧਾਇਆ ਜਾਵੇਗਾ।

ਤਕਨੀਕੀ ਨਿਰਧਾਰਨ

1. RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਮਿਤ ਅਲਾਏ ਕਿਸਮ ਦੀ ਚਿੱਪ ਦੇ ਨਾਲ ਫਾਸਟ ਸਵਿੱਚ ਥਾਈਰੀਸਟਰ, ਰੇਂਜ I_{ਟੀ.ਏ.ਵੀ}200A ਤੋਂ 4000A ਤੱਕ ਅਤੇ ਵੀ_{ਡੀਆਰਐਮ}/V_{ਆਰ.ਆਰ.ਐਮ}1200V ਤੋਂ 4500V ਤੱਕ।
2. I_GT, ਵੀ_GTਅਤੇ ਮੈਂ_H25℃ 'ਤੇ ਟੈਸਟ ਮੁੱਲ ਹਨ, ਜਦੋਂ ਤੱਕ ਹੋਰ ਨਹੀਂ ਦੱਸਿਆ ਗਿਆ, ਬਾਕੀ ਸਾਰੇ ਪੈਰਾਮੀਟਰ T ਦੇ ਅਧੀਨ ਟੈਸਟ ਮੁੱਲ ਹਨ_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= ਸਾਈਨੋਸਾਈਡਲ ਹਾਫ ਵੇਵ ਮੌਜੂਦਾ ਬੇਸ ਚੌੜਾਈ।50Hz 'ਤੇ, ਆਈ²t=0.005I²FSM(A²ਐੱਸ);
4. 60Hz 'ਤੇ: ਆਈ_FSM(8.3ms) = I_FSM(10ms)×1.066, ਟੀ_j=T_j;ਆਈ²t(8.3ms) =I²t(10ms)×0.943, T_j=T_jm

ਪੈਰਾਮੀਟਰ: