ਫਾਸਟ ਸਵਿੱਚ ਥਾਈਰੀਸਟਰ (ਉੱਚ ਮਿਆਰੀ YC ਲੜੀ)

ਵਰਣਨ

GE ਨਿਰਮਾਣ ਸਟੈਂਡਰਡ ਅਤੇ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਨੂੰ 1980 ਦੇ ਦਹਾਕੇ ਤੋਂ RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੁਆਰਾ ਪੇਸ਼ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ ਅਤੇ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਸੰਪੂਰਨ ਨਿਰਮਾਣ ਅਤੇ ਟੈਸਟਿੰਗ ਸਥਿਤੀ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਯੂਐਸਏ ਮਾਰਕੀਟ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਦੇ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦੀ ਸੀ।ਚੀਨ ਵਿੱਚ thyristor ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਦੇ ਮੋਢੀ ਵਜੋਂ, RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਨੇ ਅਮਰੀਕਾ, ਯੂਰਪੀ ਦੇਸ਼ਾਂ ਅਤੇ ਗਲੋਬਲ ਉਪਭੋਗਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਸਟੇਟ ਪਾਵਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਦੀ ਕਲਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤੀ ਸੀ।ਇਹ ਉੱਚ ਯੋਗਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਹੈ ਅਤੇ ਗਾਹਕਾਂ ਦੁਆਰਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਅਤੇ ਭਾਈਵਾਲਾਂ ਲਈ ਹੋਰ ਵੱਡੀਆਂ ਜਿੱਤਾਂ ਅਤੇ ਮੁੱਲ ਬਣਾਏ ਗਏ ਹਨ।

ਜਾਣ-ਪਛਾਣ:

1. ਚਿੱਪ

RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਮਿਤ thyristor ਚਿੱਪ sintered alloying Technology ਹੈ।ਸਿਲੀਕਾਨ ਅਤੇ ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਵੇਫਰ ਨੂੰ ਉੱਚ ਵੈਕਿਊਮ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਦੇ ਅਧੀਨ ਸ਼ੁੱਧ ਅਲਮੀਨੀਅਮ (99.999%) ਦੁਆਰਾ ਮਿਸ਼ਰਤ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਸਿੰਟਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਮੁੱਖ ਕਾਰਕ ਹੈ.ਐਲੋਏ ਜੰਕਸ਼ਨ ਦੀ ਡੂੰਘਾਈ, ਸਤਹ ਦੀ ਸਮਤਲਤਾ, ਅਲੌਏ ਕੈਵਿਟੀ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਪੂਰੀ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਹੁਨਰ, ਰਿੰਗ ਸਰਕਲ ਪੈਟਰਨ, ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗੇਟ ਬਣਤਰ ਦਾ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਕਰਨ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੀ ਜਾਣਕਾਰੀ।ਡਿਵਾਈਸ ਦੇ ਕੈਰੀਅਰ ਦੀ ਉਮਰ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਨੂੰ ਵੀ ਲਗਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ, ਤਾਂ ਜੋ ਅੰਦਰੂਨੀ ਕੈਰੀਅਰ ਪੁਨਰ-ਸੰਯੋਜਨ ਦੀ ਗਤੀ ਬਹੁਤ ਤੇਜ਼ ਹੋ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਡਿਵਾਈਸ ਦਾ ਰਿਵਰਸ ਰਿਕਵਰੀ ਚਾਰਜ ਘਟਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਪੀਡ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।ਅਜਿਹੇ ਮਾਪ ਫਾਸਟ ਸਵਿਚਿੰਗ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਆਨ-ਸਟੇਟ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਅਤੇ ਮੌਜੂਦਾ ਸੰਪਤੀ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ ਲਾਗੂ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ।thyristor ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਅਤੇ ਸੰਚਾਲਨ ਕਾਰਵਾਈ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਅਤੇ ਕੁਸ਼ਲ ਹੈ.

2. ਐਨਕੈਪਸੂਲੇਸ਼ਨ

ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਵੇਫਰ ਅਤੇ ਬਾਹਰੀ ਪੈਕੇਜ ਦੀ ਸਮਤਲਤਾ ਅਤੇ ਸਮਾਨਤਾ ਦੇ ਸਖਤ ਨਿਯੰਤਰਣ ਦੁਆਰਾ, ਚਿੱਪ ਅਤੇ ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਵੇਫਰ ਨੂੰ ਬਾਹਰੀ ਪੈਕੇਜ ਨਾਲ ਕੱਸ ਕੇ ਅਤੇ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਨਾਲ ਜੋੜਿਆ ਜਾਵੇਗਾ।ਇਹ ਵਾਧਾ ਕਰੰਟ ਅਤੇ ਉੱਚ ਸ਼ਾਰਟ ਸਰਕਟ ਕਰੰਟ ਦੇ ਵਿਰੋਧ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕਰੇਗਾ।ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਮਾਪ ਨੂੰ ਸਿਲਿਕਨ ਵੇਫਰ ਸਤਹ 'ਤੇ ਇੱਕ ਮੋਟੀ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਫਿਲਮ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਲਗਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ, ਅਤੇ ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਸਤਹ 'ਤੇ ਪਲੇਟ ਕੀਤੀ ਗਈ ਰੂਥੇਨਿਅਮ ਪਰਤ ਥਰਮਲ ਥਕਾਵਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਵਧਾਏਗੀ, ਤੇਜ਼ ਸਵਿੱਚ ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਦਾ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦਾ ਸਮਾਂ ਬਹੁਤ ਵਧਾਇਆ ਜਾਵੇਗਾ।

ਤਕਨੀਕੀ ਨਿਰਧਾਰਨ

1. RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਮਿਤ ਅਲਾਏ ਕਿਸਮ ਦੀ ਚਿੱਪ ਦੇ ਨਾਲ ਤੇਜ਼ ਸਵਿੱਚ ਥਾਈਰਿਸਟਟਰ ਯੂਐਸਏ ਸਟੈਂਡਰਡ ਦੇ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਯੋਗ ਉਤਪਾਦ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਦੇ ਸਮਰੱਥ ਹੈ।
2. I_GT, ਵੀ_GTਅਤੇ ਮੈਂ_H25℃ 'ਤੇ ਟੈਸਟ ਮੁੱਲ ਹਨ, ਜਦੋਂ ਤੱਕ ਹੋਰ ਨਹੀਂ ਦੱਸਿਆ ਗਿਆ, ਬਾਕੀ ਸਾਰੇ ਪੈਰਾਮੀਟਰ T ਦੇ ਅਧੀਨ ਟੈਸਟ ਮੁੱਲ ਹਨ_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= ਸਾਈਨੋਸਾਈਡਲ ਹਾਫ ਵੇਵ ਮੌਜੂਦਾ ਬੇਸ ਚੌੜਾਈ।50Hz 'ਤੇ, ਆਈ²t=0.005I²FSM(A²ਐੱਸ);
4. 60Hz 'ਤੇ: ਆਈ_FSM(8.3ms) = I_FSM(10ms)×1.066, ਟੀ_j=T_j;ਆਈ²t(8.3ms) =I²t(10ms)×0.943, T_j=T_jm

ਪੈਰਾਮੀਟਰ: