ਪੜਾਅ ਨਿਯੰਤਰਣ ਥਾਈਰੀਸਟਰ (ਅਲਾਇੰਗ ਕਿਸਮ)

ਵਰਣਨ:

Thyristor, ਜਿਸ ਨੂੰ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕੰਟਰੋਲ ਰੈਕਟਿਫਾਇਰ (SCR) ਵੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਇੱਕ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਯੰਤਰ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਤਿੰਨ PN ਬਣਤਰ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।ਕਾਰਜਕੁਸ਼ਲਤਾ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਵਿੱਚ ਨਾ ਸਿਰਫ਼ ਦਿਸ਼ਾ-ਨਿਰਦੇਸ਼ ਚਾਲਕਤਾ ਹੈ, ਸਗੋਂ ਸਿਲੀਕਾਨ ਰੀਕਟੀਫਾਇਰ ਤੱਤ ਨਾਲੋਂ ਵਧੇਰੇ ਕੀਮਤੀ ਨਿਯੰਤਰਣਯੋਗਤਾ ਵੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਸੰਚਾਲਨ ਅਤੇ ਆਫ-ਸਟੇਟ ਦੀਆਂ ਸਿਰਫ ਦੋ ਅਵਸਥਾਵਾਂ ਹਨ, ਛੋਟੀ ਸ਼ਕਤੀ ਨਾਲ ਵੱਡੀ ਸ਼ਕਤੀ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਸੈਂਕੜੇ ਜਾਂ ਸੈਂਕੜੇ ਤੱਕ ਪਾਵਰ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ. ਹਜ਼ਾਰ ਵਾਰ.ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਬਹੁਤ ਤੇਜ਼ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਮਾਈਕ੍ਰੋ-ਸਕਿੰਟਾਂ ਵਿੱਚ ਚਾਲੂ ਅਤੇ ਬੰਦ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਗੈਰ-ਸੰਪਰਕ ਓਪਰੇਸ਼ਨ, ਕੋਈ ਚੰਗਿਆੜੀ ਨਹੀਂ, ਕੋਈ ਰੌਲਾ ਨਹੀਂ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਉੱਚ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਅਤੇ ਘੱਟ ਲਾਗਤ.ਇਸ ਲਈ, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉੱਚ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਸਿਸਟਮ ਵਿੱਚ, thyristor ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਰੀਕਟੀਫਾਇਰ ਸਰਕਟ, ਸਥਿਰ ਬਾਈਪਾਸ ਸਵਿੱਚ, ਸੰਪਰਕ-ਮੁਕਤ ਆਉਟਪੁੱਟ ਸਵਿੱਚ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਗਿਆ ਹੈ।

RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੀ thyristor ਮੈਨੂਫੈਕਚਰਿੰਗ ਸਟੈਂਡਰਡ ਅਤੇ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀ 1980 ਦੇ ਦਹਾਕੇ ਤੋਂ ਯੂ.ਐੱਸ.ਏ. ਤੋਂ ਪੇਸ਼ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ, ਚੀਨ ਵਿੱਚ thyristor ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਦੇ ਮੋਢੀ ਵਜੋਂ, RUNAU ਦੀ ਤਕਨੀਕੀ ਟੀਮ ਨੇ 30 ਸਾਲਾਂ ਤੋਂ ਵੱਧ ਸਮੇਂ ਲਈ ਅਤਿ-ਆਧੁਨਿਕ ਗਿਆਨ ਅਤੇ ਕਾਫ਼ੀ ਨਿਰਮਾਣ ਅਨੁਭਵ ਹਾਸਲ ਕੀਤਾ ਸੀ।ਰਵਾਇਤੀ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੇ ਅਧਾਰ 'ਤੇ, RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੇ ਪ੍ਰਤਿਭਾਵਾਨ ਟੈਕਨੀਸ਼ੀਅਨਾਂ ਨੇ ਯੂਰਪੀਅਨ ਉਤਪਾਦਾਂ ਦੀਆਂ ਲਾਭਦਾਇਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ thyristor ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਵਿੱਚ ਕਲਾ-ਆਫ-ਸਟੇਟ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿਕਸਿਤ ਕੀਤੀ ਸੀ, ਗੁਣਵੱਤਾ ਅਤੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਸੁਧਾਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਪਾਵਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵਿੱਚ ਹੋਰ ਵੱਡੀਆਂ ਜਿੱਤਾਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀਆਂ ਗਈਆਂ ਹਨ। ਖੇਤਰ, ਅਤੇ ਭਾਈਵਾਲਾਂ ਲਈ ਹੋਰ ਮੁੱਲ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ।

ਜਾਣ-ਪਛਾਣ:

1. ਚਿੱਪ

RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਮਿਤ thyristor ਚਿੱਪ sintered alloying Technology ਹੈ।ਸਿਲੀਕਾਨ ਅਤੇ ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਵੇਫਰ ਨੂੰ ਉੱਚ ਵੈਕਿਊਮ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਦੇ ਅਧੀਨ ਸ਼ੁੱਧ ਅਲਮੀਨੀਅਮ (99.999%) ਦੁਆਰਾ ਮਿਸ਼ਰਤ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਸਿੰਟਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਮੁੱਖ ਕਾਰਕ ਹੈ.ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਦੇ ਭਰੋਸੇਮੰਦ ਅਤੇ ਉੱਚ ਕੁਸ਼ਲ ਕੰਡਕਸ਼ਨ ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਕਰਨ ਲਈ ਅਲਾਏ ਜੰਕਸ਼ਨ ਦੀ ਡੂੰਘਾਈ, ਸਤਹ ਦੀ ਸਮਤਲਤਾ, ਅਲੌਏ ਕੈਵਿਟੀ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਪੂਰੀ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਹੁਨਰ, ਸੈਂਟਰ ਗੇਟ, ਰਿੰਗ ਸਰਕਲ ਪੈਟਰਨ ਦਾ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਕਰਨ ਲਈ RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੀ ਜਾਣਕਾਰੀ ਨੂੰ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ। ਉੱਚ ਗੁਣਵੱਤਾ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਓ.

2. ਐਨਕੈਪਸੂਲੇਸ਼ਨ

ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਵੇਫਰ ਅਤੇ ਬਾਹਰੀ ਪੈਕੇਜ ਦੀ ਸਮਤਲਤਾ ਅਤੇ ਸਮਾਨਤਾ ਦੇ ਸਖਤ ਨਿਯੰਤਰਣ ਦੁਆਰਾ, ਚਿੱਪ ਅਤੇ ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਵੇਫਰ ਨੂੰ ਬਾਹਰੀ ਪੈਕੇਜ ਨਾਲ ਕੱਸ ਕੇ ਅਤੇ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਨਾਲ ਜੋੜਿਆ ਜਾਵੇਗਾ।ਇਹ ਵਾਧਾ ਕਰੰਟ ਅਤੇ ਉੱਚ ਸ਼ਾਰਟ ਸਰਕਟ ਕਰੰਟ ਦੇ ਵਿਰੋਧ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕਰੇਗਾ।ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਮਾਪ ਨੂੰ ਸਿਲਿਕਨ ਵੇਫਰ ਸਤਹ 'ਤੇ ਇੱਕ ਮੋਟੀ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਫਿਲਮ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਲਗਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ, ਅਤੇ ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਸਤਹ 'ਤੇ ਪਲੇਟ ਕੀਤੀ ਗਈ ਰੂਥੇਨਿਅਮ ਪਰਤ ਥਰਮਲ ਥਕਾਵਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਵਧਾਏਗੀ, ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਦਾ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦਾ ਸਮਾਂ ਬਹੁਤ ਵਧਾਇਆ ਜਾਵੇਗਾ।

ਤਕਨੀਕੀ ਨਿਰਧਾਰਨ

1. RUNAU ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਮਿਤ ਮਿਸ਼ਰਤ ਕਿਸਮ ਦੀ ਚਿੱਪ ਦੇ ਨਾਲ ਪੜਾਅ ਨਿਯੰਤਰਿਤ thyristor, ਰੇਂਜ I_{ਟੀ.ਏ.ਵੀ}300A ਤੋਂ 6000A ਤੱਕ ਅਤੇ ਵੀ_{ਡੀਆਰਐਮ}/V_{ਆਰ.ਆਰ.ਐਮ}800V ਤੋਂ 4400V ਤੱਕ।
2. I_GT, ਵੀ_GTਅਤੇ ਮੈਂ_H25℃ 'ਤੇ ਟੈਸਟ ਮੁੱਲ ਹਨ, ਜਦੋਂ ਤੱਕ ਹੋਰ ਨਹੀਂ ਦੱਸਿਆ ਗਿਆ, ਬਾਕੀ ਸਾਰੇ ਪੈਰਾਮੀਟਰ T ਦੇ ਅਧੀਨ ਟੈਸਟ ਮੁੱਲ ਹਨ_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= ਸਾਈਨੋਸਾਈਡਲ ਹਾਫ ਵੇਵ ਮੌਜੂਦਾ ਬੇਸ ਚੌੜਾਈ।50Hz 'ਤੇ, ਆਈ²t=0.005I²FSM(A²ਐੱਸ);
4. 60Hz 'ਤੇ: ਆਈ_FSM(8.3ms) = I_FSM(10ms)×1.066, ਟੀ_j=T_j;ਆਈ²t(8.3ms) =I²t(10ms)×0.943, T_j=T_jm

ਪੈਰਾਮੀਟਰ: